Hàng mới về

Chất lượng

Đánh giá

PD20010-E

Obsolete - TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

Nhà sản xuất:

STMicroelectronics

Phần Mfr #

PD20010-E

Loại:

Transistor - FET, MOSFET - RF

Biểu dữ liệu:

PD20010-E

Sự miêu tả:

TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

PD20010-E Quy cách

Thuộc tính sản phẩm

Giá trị thuộc tính

Loại

Transistor - FET, MOSFET - RF

Nhà sản xuất

STMicroelectronics

Loạt

-

Đóng gói

Tube

Tình trạng sản phẩm

Obsolete

Loại bóng bán dẫn

LDMOS

Tần số

2GHz

Độ lợi

11dB

Điện áp - Kiểm tra

13.6 V

Xếp hạng hiện tại (Amps)

5A

Số liệu tiếng ồn

-

Dòng điện - Kiểm tra

150 mA

Công suất - Đầu ra

10W

Điện áp - Định mức

40 V

Loại lắp

-

Gói / Vỏ

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Gói thiết bị của nhà cung cấp

PowerSO-10RF (Formed Lead)

PD20010-E Kho: 48575

Lịch sử giá cả

Obsolete

5.0 / 5.0

Autumn Lee

United States

2023-03-08 21:30

Sản phẩm trông tuyệt vời

Finn Johnson

United States

2023-03-08 13:25

Tàu nhanh chóng và đến nơi trong tình trạng tốt.

Clara Adams

United States

2023-03-08 10:26

Vận chuyển mất nhiều thời gian, tôi đề nghị cửa hàng chú ý hơn đến thời gian vận chuyển. Tuy nhiên, gói hàng đến sớm hơn nhiều so với dự kiến!

伊藤優子

Japan

2023-03-07 10:36

Mặt hàng tốt. Nó%27s hoạt động hoàn hảo! Tiếng ồn rất thấp và không có sự phân phối.

Brian Nelson

United States

2023-03-07 17:17

chất lượng 100% người bán được đề xuất,

PD20010-E

PD20010-E Quy cách

PD20010-E Kho: 48575

PD20010-E Các bộ phận liên quan