1N1200RB
Active - DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
1N1200RB Quy cách
Thuộc tính sản phẩm
Giá trị thuộc tính
Tình trạng sản phẩm
Active
Loại điốt
Standard, Reverse Polarity
Điện áp - Đảo ngược DC (Vr) (Tối đa)
100 V
Dòng điện - Chỉnh lưu trung bình (Io)
12A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If
1.2 V @ 30 A
Tốc độ
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr)
-
Dòng điện - Rò rỉ ngược @ Vr
10 μA @ 100 V
Gói / Vỏ
DO-203AA, DO-4, Stud
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DO-4
Nhiệt độ hoạt động - Mối nối
-65 ℃ ~ 200 ℃
1N1200RB Kho: 36650
5.0 / 5.0
2023-02-28 15:00
Người bán rất được khuyến khích
2023-03-01 17:21
Đến trong 9 ngày sau khi đặt hàng.%26lt;br%26gt;Cảm ơn bạn!
2022-12-16 18:07
Nhận được ổn, nhiều chân đã bị uốn cong đúng cách xảy ra khi chip ic được đẩy xuống bọt chống tĩnh điện để vận chuyển
2023-02-27 05:35
Nó hoạt động tuyệt vời với ESP WROOM 32
2023-02-28 03:06
Bán buôn rất nhanh
Indonesia
