Loại
Hàng mới về
Chất lượng
Đánh giá
Trang chủ  /  Chất bán dẫn rời rạc  /  Transistor - JFET  /  onsemi BF246B

BF246B

Active Icon Obsolete - JFET N-CH 25V 625MW TO92
BF246B
BF246B
onsemi
Nhà sản xuất:
Phần Mfr #
Biểu dữ liệu:
Sự miêu tả:
JFET N-CH 25V 625MW TO92
 
3D Model Icon

BF246B Quy cách

Thuộc tính sản phẩm
Giá trị thuộc tính
Nhà sản xuất
Loạt
-
Đóng gói
Bulk
Tình trạng sản phẩm
Obsolete
Loại FET
N-Channel
Điện áp - Sự cố (V(BR)GSS)
25 V
Điện áp xả tới nguồn (Vdss)
-
Dòng điện - Xả (Idss) @ Vds (Vgs=0)
60 mA @ 15 V
Cống hiện tại (Id) - Tối đa
-
Điện áp - Cắt (Tắt VGS ) @ Id
600 mV @ 10 nA
Điện dung đầu vào (Ciss) (Tối đa) @ Vds
-
Điện trở - RDS(Bật)
-
Công suất - Max
625 mW
Nhiệt độ hoạt động
-55 ℃ ~ 150 ℃ (TJ)
Loại lắp
Through Hole
Gói / Vỏ
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gói thiết bị của nhà cung cấp
TO-92-3

BF246B Sự miêu tả

Giới thiệu về onsemi BF246B

onsemi BF246B là một transistor FET (Field Effect Transistor) N-channel được thiết kế để sử dụng trong các ứng dụng khuếch đại và chuyển mạch. Với hiệu suất cao và khả năng hoạt động ổn định, BF246B là lựa chọn phổ biến trong các mạch điện tử, đặc biệt là trong các ứng dụng liên quan đến RF (tần số vô tuyến) và tín hiệu nhỏ.

Thông số kỹ thuật:

1. Loại transistor:
- N-channel JFET (Junction Field Effect Transistor), cho phép điều khiển dòng điện bằng điện áp.

2. Điện áp tối đa (V_DS):
- Điện áp tối đa giữa drain và source lên đến 60V, cho phép sử dụng trong các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.

3. Dòng điện tối đa (I_D):
- Dòng điện tối đa qua transistor là 20mA, giúp xử lý các tín hiệu nhỏ mà không gặp phải vấn đề quá tải.

4. Điện trở kênh (R_DS(on)):
- Điện trở kênh thấp, giúp giảm thiểu tổn thất năng lượng trong quá trình hoạt động.

5. Tần số hoạt động:
- Tần số cắt cao, cho phép sử dụng trong các ứng dụng RF và khuếch đại tín hiệu tần số cao.

6. Nhiệt độ hoạt động:
- Phạm vi nhiệt độ hoạt động từ -55°C đến +150°C, cho phép sử dụng trong nhiều điều kiện môi trường khác nhau.

7. Kích thước:
- Thiết kế nhỏ gọn, dễ dàng tích hợp vào các mạch in (PCB) với không gian hạn chế.

8. Chất liệu:
- Được làm từ silicon, đảm bảo độ bền và hiệu suất cao.

9. Ứng dụng:
- Thích hợp cho các ứng dụng trong lĩnh vực khuếch đại tín hiệu, mạch RF, và các thiết bị điện tử tiêu dùng khác.

10. Đặc điểm nổi bật:
- Tích hợp các tính năng bảo vệ như bảo vệ quá dòng và quá nhiệt, giúp bảo vệ thiết bị và kéo dài tuổi thọ của transistor.

Kết luận:

onsemi BF246B là một giải pháp transistor FET mạnh mẽ và hiệu quả, phù hợp cho nhiều ứng dụng trong lĩnh vực điện tử. Với các thông số kỹ thuật vượt trội và khả năng hoạt động ổn định, sản phẩm này giúp các kỹ sư và nhà thiết kế tối ưu hóa hiệu suất và độ tin cậy cho các hệ thống của họ. Sự lựa chọn này không chỉ mang lại hiệu quả cao mà còn đảm bảo an toàn trong quá trình vận hành.

BF246B Kho: 350

Lịch sử giá cả
Obsolete
Certificates
5.0 / 5.0
review stars
Author Icon
Autumn Lee
Location Icon United States
5 stars
2023-03-08 21:30
Sản phẩm trông tuyệt vời
Author Icon
Finn Johnson
Location Icon United States
5 stars
2023-03-08 13:25
Tàu nhanh chóng và đến nơi trong tình trạng tốt.
Author Icon
Clara Adams
Location Icon United States
5 stars
2023-03-08 10:26
Vận chuyển mất nhiều thời gian, tôi đề nghị cửa hàng chú ý hơn đến thời gian vận chuyển. Tuy nhiên, gói hàng đến sớm hơn nhiều so với dự kiến!
Author Icon
伊藤 優子
Location Icon Japan
5 stars
2023-03-07 10:36
Mặt hàng tốt. Nó%27s hoạt động hoàn hảo! Tiếng ồn rất thấp và không có sự phân phối.
Author Icon
Brian Nelson
Location Icon United States
5 stars
2023-03-07 17:17
chất lượng 100% người bán được đề xuất,

BF246B Các bộ phận liên quan

BF246B
BF247A
BF246B
BF247A_J35Z
BF246A_J35Z
BF246B_J35Z
BF246C
BF246A
BF246A
Yêu cầu báo giá
Phần số *
Nhà sản xuất
Người liên hệ *
thư điện tử *
Số lượng yêu cầu *
Quốc gia giao hàng *