NTE5866
Active - DIODE GEN PURP 800V 6A DO4
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 800V 6A DO4
NTE5866 Quy cách
Thuộc tính sản phẩm
Giá trị thuộc tính
Tình trạng sản phẩm
Active
Điện áp - Đảo ngược DC (Vr) (Tối đa)
800 V
Dòng điện - Chỉnh lưu trung bình (Io)
6A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If
1.1 V @ 19 A
Tốc độ
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr)
-
Dòng điện - Rò rỉ ngược @ Vr
12 mA @ 800 V
Gói / Vỏ
DO-203AA, DO-4, Stud
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DO-4
Nhiệt độ hoạt động - Mối nối
-65 ℃ ~ 175 ℃
Indonesia
