NTE5819
Active - DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
NTE5819 Quy cách
Thuộc tính sản phẩm
Giá trị thuộc tính
Tình trạng sản phẩm
Active
Điện áp - Đảo ngược DC (Vr) (Tối đa)
200 V
Dòng điện - Chỉnh lưu trung bình (Io)
12A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If
1.4 V @ 12 A
Tốc độ
Fast Recovery = 200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr)
400 ns
Dòng điện - Rò rỉ ngược @ Vr
25 μA @ 200 V
Gói / Vỏ
DO-203AA, DO-4, Stud
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DO-4
Nhiệt độ hoạt động - Mối nối
-65 ℃ ~ 150 ℃
NTE5819 Kho: 700
5.0 / 5.0
2023-03-25 13:19
Giống như mô tả (Toshiba). Là số tiền tôi yêu cầu. Anh ấy gửi rất nhanh. Chưa được chứng minh, tôi sẽ thêm bình luận sau.
2022-11-10 14:27
một số linh kiện bị hỏng, không thể sử dụng được
2023-03-22 19:30
Tôi rất hài lòng
2023-03-24 04:14
Tôi đã sử dụng nó để sửa chữa màn hình của mình. Nó hoạt động tốt. Cảm ơn bạn.
2022-09-30 14:32
30 ngày đến Mỹ, dường như là những sản phẩm chất lượng. chưa kiểm tra
United States
