NTE5811
Active - DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4
Sự miêu tả:
DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4
NTE5811 Quy cách
Thuộc tính sản phẩm
Giá trị thuộc tính
Tình trạng sản phẩm
Active
Điện áp - Đảo ngược DC (Vr) (Tối đa)
1200 V
Dòng điện - Chỉnh lưu trung bình (Io)
12A
Điện áp - Chuyển tiếp (Vf) (Tối đa) @ If
1.26 V @ 38 A
Tốc độ
Standard Recovery >500ns, >200mA (Io)
Thời gian phục hồi ngược (trr)
-
Dòng điện - Rò rỉ ngược @ Vr
12 mA @ 1200 V
Gói / Vỏ
DO-203AA, DO-4, Stud
Gói thiết bị của nhà cung cấp
DO-4
Nhiệt độ hoạt động - Mối nối
-65 ℃ ~ 175 ℃
NTE5811 Kho: 30275
5.0 / 5.0
2023-03-17 13:18
Tất cả đều hoạt động rất xuất sắc
2023-03-20 02:49
Sản phẩm kém chất lượng không thể sử dụng
2023-03-19 14:53
Tôi đã ghi một bộ nạp khởi động bằng Avrdude tại dòng lệnh cho mỗi MCU trong số 10 MCU, sau đó tải lên mã LED nhấp nháy đúp cho từng MCU. Chúng hoạt động như một sự quyến rũ. Tất cả chúng đều tuyệt vời và có ATmel trên người nên chúng có vẻ chân thật. Không có chanh! Vận chuyển rất nhanh chóng.
2023-03-16 02:32
Cảm ơn rất nhiều
2023-03-12 10:35
Sản phẩm tuân thủ, thương mại rất nhiều
United States
